미 공군연구소가 질화갈륨(GaN)을 유연한 기판(substrate) 위에 전사(轉寫, transfer)하는 새로운 기술을 시연하였다. 질화붕소 유연 기판에 GaN을 전사시켜 GaN 소자가 평평한 상태에서와 똑같이 작동하는 것을 입증한 실험이다.  GaN은 두께가 약 2nm인 유연한 질화붕소 기판 위에서 성장한다.

현재는 GaN 전사공정(transfer process)의 개념증명 수준으로 제작공정 최적화가 필요하고, 수명 및 신뢰성이 입증되지는 않았다. GaN 반도체 소자의 성장 기판에는 사파이어와 같은 단단한 기판을 사용하여, 완제품을 구부리거나 당길 수가 없으므로 평평한 플랫폼 사용으로 제한된다.

GaN 반도체는 안테나로 입력되는 신호를 5~10배 증폭시키고, 유연한 출력증폭기를 가능한 레이더 안테나 가까이에 위치시키면, 신호 이동거리가 줄어 간단하게 성능개선 가능하다. 플렉시블 GaN은 향후 통신·레이더 체계 및 착용형 전자장치를 크게 개선할 수 있다.

<자료 및 사진 출처: AFRL’s flexible GaN could improve electronic systems, janes.ihs.com, 국방기술품질원>